特許
J-GLOBAL ID：200903055690146333
炭化けい素半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-129773
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260267
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後のSiC表面を清浄かつ平滑に保持し、良好な特性の炭化けい素半導体素子を作製する方法を提供する。【解決手段】表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
炭化けい素結晶板の表面層に不純物のドーピングとその後のアニールにより不純物領域を形成する炭化けい素半導体素子の製造方法において、有機膜のマスクを用いた選択的なドーピングをおこない、マスクを除去しないまま非酸化性雰囲気でアニールをおこない、アニール後炭化してグラファイト膜となったマスクを除去することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/265 Z
, H01L21/265 602A
