特許
J-GLOBAL ID:200903055704480509
連続的に供給される金属基板を処理するための方法および装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
浅村 皓
, 浅村 肇
, 森 徹
, 岩本 行夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-517867
公開番号(公開出願番号):特表2004-506096
出願日: 2001年08月06日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
本発明は、特に、処理区間を有する真空チャンバ(3)内をほぼ連続的に移動する金属基板(1)を清浄および/または加熱するための処理方法に関し、大気圧未満の圧力に維持した気体内で、少なくとも電極を形成する基板(1)と、少なくとも1つの対向電極(9)との間で、電気放電(10)すなわちプラズマおよび磁界を発生させて、電気放電(10)内に生成されたイオンが基板(1)に衝突する。かかる方法は、処理区間内で基板(1)の周囲全体に閉じ込め誘導磁界を生成して、電気放電(10)内に放出される電子の閉じ込めにより、前記処理区間内で基板(1)の周囲の領域に電気放電(10)も同様に閉じ込めるようにすることを特徴とする。
請求項(抜粋):
特に、処理区間を有する真空チャンバ(3)を通ってほぼ連続的に供給される金属基板(1)を清浄および/または加熱するための処理方法であって、前記処理区間内で、大気圧未満の圧力に維持した気体内で、少なくとも、電極として作用する前記基板(1)と、少なくとも1つの対向電極(9)との間で、電気放電(10)すなわちプラズマおよび磁界を発生させて、前記電気放電(10)内に生成されたイオンが前記基板(1)に衝突することができる処理方法において、前記処理区間内で前記基板(1)の周囲全体に閉じ込め誘導磁界を生成して、前記電気放電(10)内に放出される電子の閉じ込めにより、この処理区間内で前記基板(1)の周囲の領域に前記電気放電(10)も閉じ込めるようにすることを特徴とする、処理方法。
IPC (5件):
C23F4/00
, B01J3/00
, B01J19/08
, H05H1/24
, H05H1/46
FI (5件):
C23F4/00 A
, B01J3/00 J
, B01J19/08 E
, H05H1/24
, H05H1/46 A
Fターム (33件):
4G075AA29
, 4G075AA30
, 4G075BA05
, 4G075BB10
, 4G075CA02
, 4G075CA15
, 4G075CA42
, 4G075CA47
, 4G075CA62
, 4G075CA65
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EB01
, 4G075EC21
, 4G075EC26
, 4G075ED20
, 4G075FC20
, 4K057DA01
, 4K057DB01
, 4K057DB02
, 4K057DB04
, 4K057DB05
, 4K057DD01
, 4K057DE14
, 4K057DE20
, 4K057DM02
, 4K057DM06
, 4K057DM22
, 4K057DM24
, 4K057DM36
, 4K057DM39
, 4K057DM40
, 4K057DN10
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