特許

J-GLOBAL ID：200903055705336240

レーザー照射装置及びレーザー照射方法

発明者： 山崎 舜平 ,  田中 幸一郎 ,  楠本 直人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050888
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219380
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体薄膜に線状レーザー光を走査しながら照射してレーザーアニールを行い、結晶化や結晶性の向上を図るに際し、アニール後の半導体薄膜の面内均質性を向上させつつ、高い結晶性を得る。さらにレーザー光源の出力変動の影響を防ぐ。【解決手段】 非連続的に照射され、被照射面において線状を呈するレーザー光を、該レーザー光の線幅方向に走査させながら半導体薄膜に照射してレーザーアニールを行うに際し、前記線状レーザー光の線幅方向のエネルギープロファイルとして、エネルギー密度が段階的に異なった階段状の形状を呈するものとする。特に、走査ピッチDと階段部分の幅Ln との関係をLn ≧Dを満たすように設定する。

請求項（抜粋）：

幅方向に段階的なビームプロファイルを有した線状のパルスレーザー光を照射する手段と、前記レーザー光を線状の幅方向にピッチDで走査して照射する手段と、を有し、前記段階のそれぞれは所定の照射エネルギー密度を有し、かつ前記幅方向における寸法がLn の領域でなり、Ln ≧Dであることを特徴とするレーザー照射装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/268 Z ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭60-257511
  
• 特開平3-286518
  
• 特開平4-102311
  
• 特開平2-177422
  
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-264999   出願人：ソニー株式会社