特許
J-GLOBAL ID：200903055706882809
薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-096731
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291060
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 膜の組成比の制御、パーティクルの抑制および成膜速度の向上を可能にした薄膜形成方法を提供する。【構成】 真空容器4内に、複数種類の原料ガス24をそれぞれパルス状に、しかも各原料ガス24間で位相をずらして供給する。かつ、高周波電極6と接地電極8間に高周波電源26aから高周波電力を、前記パルス状に供給される原料ガス24に同期させてパルス状に、しかもそのパルス状の高周波電力の大きさが少なくとも二種類の原料ガス24間で異なるように供給する。
請求項（抜粋）：
相対向する電極間の高周波放電によって真空容器内でプラズマを発生させるプラズマCVD法によって基板の表面に化合物薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記真空容器内に、複数種類の原料ガスをそれぞれパルス状に、しかも各原料ガス間で位相をずらして供給し、かつ前記電極間に高周波電力を、前記パルス状に供給される原料ガスに同期させてパルス状に、しかもそのパルス状の高周波電力の大きさが少なくとも二種類の原料ガス間で異なるように供給することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
