特許
J-GLOBAL ID：200903055713123263
パワーMOSトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 和年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256944
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085682
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 双方向ポリシリコンツェナーダイオードをドレイン・ゲート間に内蔵したパワーMOSトランジスタにおいて、ツェナー動作電圧Vzが時間と共にシフトすることのない前記双方向ポリシリコンツェナーダイオードを提供する。【解決手段】 パワーMOSトランジスタ16を構成する半導体基板11のフィールド絶縁膜13上に形成され、前記パワーMOSトランジスタのドレイン・ゲート間に接続されて逆方向に直列接続されたツェナーダイオード対からなる双方向ポリシリコンツェナーダイオード14を具備し、前記双方向ポリシリコンツェナーダイオードにおけるP型領域14b、14dの不純物濃度を0.95×1018cm-3以上、好ましくは0.95〜3.0×1018cm-3に設定している。
請求項（抜粋）：
パワーMOSトランジスタを構成する半導体基板のフィールド絶縁膜上に形成され、前記パワーMOSトランジスタのドレイン・ゲート間に接続されて逆方向に直列接続されたツェナーダイオード対からなる双方向ポリシリコンツェナーダイオードを具備し、前記双方向ポリシリコンツェナーダイオードにおけるP型領域が0.95×1018cm-3以上の不純物濃度を有することを特徴とする双方向ポリシリコンツェナーダイオードをドレイン・ゲート間に内蔵したパワーMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 657 A
, H01L 29/90 S
