特許
J-GLOBAL ID：200903055713823346
表面処理方法および表面処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045258
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241885
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 電子シェーディング現象に起因するノッチングやチャージアップダメージ、サブトレンチ、ボーイング等の発生を抑制する。【構成】 基板バイアスとして立ち上がり速度103 V/μs以上でデューティー比5 %以下のパルス電圧を印加する。【効果】 基板バイアスに電子を加速するサイクルが生じ、電子シェーディング現象が起こらなくなる。これによって、電子シェーディング現象に起因する諸問題が解消される。特にポリシリコンエッチングにおいては高選択かつノッチングの発生のないエッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
減圧処理室内に載置した被処理物にプラズマを供給する共に前記被処理物にバイアス電圧を印加することにより被処理物を処理する表面処理方法において、前記バイアス電圧として、立ち上がり速度103 V/μs以上のパルス波形の電圧を印加することを特徴とする表面処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 G
