特許

J-GLOBAL ID：200903055721866941

コンタクタ及びコンタクタを形成する方法

発明者： テオドール・A・コーリー ,  マーク・R・ジョーンズ ,  R・ケイス リー
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171067
公開番号（公開出願番号）：特開2000-074941
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】基板の平面上にフォトリソグラフィ技術により形成した、半導体ウエハ,LSIパッケージ、プリント回路基板等をテストするために用いるプローブコンタクタ及びコンタクタを形成する方法を提供する。【解決手段】プローブコンタクタは表面上に電導通路であるインターコネクトトレイスを有する基板と、フォトリソグラフィ製法によりその基板上に形成されたコンタクタで構成される。そのコンタクタはその基板に対して直立に形成されたベース部と、一端がベース部上に形成される水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とを有する。そのコンタクタが被テスト部品に押しつけられるとき、コンタクタの水平部により接触圧力を生じる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ,LSIパッケージ、プリント回路基板(被テスト部品)をテストするために用いるコンタクタにおいて、表面上に電導通路であるインターコネクトトレイスを有する誘電体基板と、フォトリソグラフィ製法によりその誘電体基板上に形成されたコンタクタであり、そのコンタクタはその誘電体基板に対して直立に形成されたベース部と、一端がベース部上に形成される水平部と、その水平部の他端に形成された接触部とにより構成され、そのコンタクタが被テスト部品に押しつけられるとき、コンタクタの水平部により接触圧力を生じ、上記を具備したことを特徴とするコンタクタ。

IPC (5件)：

G01R 1/073 ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  H05K 3/00

FI (5件)：

G01R 1/073 F ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 B ,  H05K 3/00 T

引用特許：

審査官引用 (1件)

• バネ性を具備したマイクロコンタクト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-025855   出願人：森崎正幸