特許
J-GLOBAL ID：200903055722312214
半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004617
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190463
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造装置の改良及び半導体基板のロードロック室への搬入・搬出方法及びプロセスチャンバとロードロック室の間の搬入・搬出方法を改良した半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の搬入・搬出に伴い発生する半導体基板の表面へのパーティクルの付着を防止することが可能となる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 スリットバルブ3を介してプロセスチャンバ1とロードロック室2が接続されており、このロードロック室2に半導体基板9を出し入れするのに用いるゲートバルブ4を備え、このロードロック室2に真空排気ライン5とパージライン6とを設けた半導体装置の製造装置において、このロードロック室2の室内圧を周囲の大気圧と等しくする大気開放ライン7と、このロードロック室2の室内圧を陽圧にする逆拡散防止パージライン8とを具備するように構成する。
請求項（抜粋）：
スリットバルブ(3) を介してプロセスチャンバ(1) とロードロック室(2) が接続されており、該ロードロック室(2) に半導体基板(9) を出し入れするのに用いるゲートバルブ(4) を備え、前記ロードロック室(2) に真空排気ライン(5) とパージライン(6) とを設けた半導体装置の製造装置において、前記ロードロック室(2) の室内圧を周囲の大気圧と等しくする大気開放ライン(7) と、前記ロードロック室(2) の室内圧を陽圧にする逆拡散防止パージライン(8) とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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