特許
J-GLOBAL ID：200903055724295082
薄膜半導体装置の製造方法及び減圧化学気相堆積装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259338
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102187
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】良好なトランジスタ特性を有する薄膜半導体装置を安価で安定的に製造する事。【構成】チャンネル部シリコン膜105をLPCVD法で堆積した後還元性雰囲気下で降温する。この降温を予備室で行う。【効果】本発明に依り良好な薄膜半導体装置を安価で安定的に製造出来る。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が絶縁性物質で有る基板の一方面上にシリコン膜半導体層を形成し、この半導体層をトランジスタの能動層とする薄膜半導体装置の製造方法に於いて、該シリコン膜を減圧化学気相堆積法(LPCVD法)にて堆積する際、該シリコン膜堆積後、該基板を包容する環境を還元性雰囲気下に維持したまま該基板温度を500°C以下迄下げる工程を含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/205
, H01L 27/12
