特許
J-GLOBAL ID：200903055725258822
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-185363
公開番号（公開出願番号）：特開2006-012994
出願日： 2004年06月23日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】ガスをウエハ面内およびウエハ相互間において均一に接触させる。 【解決手段】ウエハ1群を保持したボート25を収容して処理する処理室32を形成したプロセスチューブ31と、処理室32に処理ガス61を供給するガス供給管35と、処理室32を排気する排気管36と、処理室32の内周面に敷設されてプラズマ室40を形成した隔壁41と、隔壁41に開設された吹出口42とを備えたバッチ式リモートプラズマCVD装置において、ガス供給管側流通口53と排気管側流通口54とを有する一対の仕切板52、52を処理室32にボート25と同心円に設置し、排気管側流通口54は縦に細長い逆台形に形成する。吹出口から吹き出したガスはガス供給管側流通口から両仕切板内に流れ込んで排気管側流通口から均等に排気することで、両仕切板内全体に均等に行き渡るので、ガスはウエハ面内およびウエハ相互間に均一に接触する。 【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記基板を加熱するヒータユニットと、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置されガス供給管側流通口と排気管側流通口とをそれぞれ有する仕切板とを備えており、前記排気管側流通口は前記基板の積層方向に延在され、前記排気管側流通口における前記基板の主面と平行な断面の開口は前記基板上を流れる前記ガスの流れ方向から見て前記基板の直径よりも小さく設定されており、前記排気管側流通口の前記基板の積層方向の両端の大きさは相異されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, H01L 27/108
, H01L 21/824
H01L21/31 C
, H01L27/10 651
5F045AA08
, 5F045AB33
, 5F045AC11
, 5F045AC12
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EC02
, 5F045EC07
, 5F045EE06
, 5F045EF13
, 5F083JA05
, 5F083JA06
, 5F083PR15
, 5F083PR21
