特許

J-GLOBAL ID：200903055728882691

裾引き形状を有するSiO2系被膜の形成方法

発明者： 松尾 英樹 ,  石川 智規 ,  長原 達郎
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033191
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233510
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 電子デバイスにおける絶縁膜の絶縁耐圧の劣化や配線の断線などを防止すると共にデバイス製造コスト削減に寄与する簡便な方法を提供すること。【解決手段】 段差を有する基板にポリシラザン濃度0.1〜30重量%のポリシラザン溶液を塗布することにより前記段差をその上下にわたり被覆する塗膜を形成し、次いで前記塗膜を焼成することを特徴とする、前記段差に対応する部分が傾斜のなだらかな裾引き形状を有するSiO2 系被膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

段差を有する基板にポリシラザン濃度0.1〜30重量%のポリシラザン溶液を塗布することにより前記段差をその上下にわたり被覆する塗膜を形成し、次いで前記塗膜を焼成することを特徴とする、前記段差に対応する部分が傾斜のなだらかな裾引き形状を有するSiO2 系被膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C03B 19/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  C03B 19/12 A ,  H01L 29/78 617 V