特許

J-GLOBAL ID：200903055740897122

プラズマ処理装置及び該装置用部品の製作方法

発明者： 三谷 克彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 沼形 義彰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217155
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033309
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理装置のアース電極、ガス導入系、プラズマ処理室内面から重金属が放出され、プラズマ処理したウエハ上に付着する。該付着した重金属は半導体デバイスの特性を劣化させる。【解決の手段】 スパッタ衝撃により金属飛散が起こりやすいアース電極114、高濃度のガスに接するガス導入系108、及び接ガス面積が大きいプラズマ処理室105の内面をシリカ系溶液をコーティングし、その後、室温から200°Cの範囲で乾燥、焼成することによりガラス系皮膜115で覆う。前記部品の少なくとも一つ以上を採用したプラズマ処理装置を用いる。被プラズマ処理ウエハ上への金属汚染レベルを109個/cm2以下に低減でき、Siデバイスの性能及び信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

真空排気及び圧力制御された処理室内に所望のガスを導入し高周波電力でプラズマを生成し、前記処理室内に載置された試料に対してプラズマ処理を施すことを目的とするプラズマ処理装置において、ガス導入系部品、処理室内面、アース電極の少なくとも一つがガラス系皮膜で覆われた金属部品であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/44 J ,  C23C 16/44 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (23件)：

4K030DA04 ,  4K030EA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA08 ,  4K030KA14 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4K057DA01 ,  4K057DD01 ,  4K057DM03 ,  4K057DM22 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA14 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BB32 ,  5F004BC03 ,  5F004BC08 ,  5F004CA06