特許

J-GLOBAL ID：200903055745255480

磁気抵抗効果型磁気ヘツド

発明者： 秋山 純一 ,  大沢 裕一 ,  岩崎 仁志 ,  近藤 玲子 ,  館山 公一 ,  大田 俊彦 ,  與田 博明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278640
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094605
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】強磁性体を用いながら、不要な漏れ磁界を発生することなくMR素子膜に縦バイアスを効果的に与えることができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とする。【構成】磁気抵抗効果素子膜(MR素子膜)1上に、該MR素子膜1の長手方向において所定の向きに磁化された第1の強磁性膜4、非磁性膜5、およびMR素子膜1の長手方向において第1の強磁性膜4と逆の向きに磁化された第2の強磁性膜6を順次積層した磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子膜と、この磁気抵抗効果素子膜の上に配置され、該磁気抵抗効果素子膜の長手方向において所定の向きに磁化された第1の強磁性膜と、この第1の強磁性膜の上に形成された非磁性膜と、この非磁性膜の上に形成され、前記磁気抵抗効果素子膜の長手方向において前記第1の強磁性膜と逆の向きに磁化された第2の強磁性膜とを具備することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。