特許

J-GLOBAL ID：200903055746319511

III族窒化物半導体発光素子

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157588
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349336
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】Si単結晶基板上に平坦で結晶性の優れたIII族窒化物半導体結晶から成る積層構造を形成し、特性に優れるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】n形の導電性を有するSi単結晶基板と、該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備するIII族窒化物半導体発光素子において、前記緩衝層を、Si単結晶基板に接して形成された、ガリウム(Ga)の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導電性を有する酸化物緩衝層を有するものとする。

請求項（抜粋）：

n形の導電性を有する珪素(Si)単結晶基板と、該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備するIII族窒化物半導体発光素子において、前記緩衝層が、前記Si単結晶基板に接して形成された、ガリウム(Ga)の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導電性を有する酸化物緩衝層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20

Fターム (13件)：

5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F052KA02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-192075   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-165111
  

引用文献：

出願人引用 (3件)

• "Single-crystal α-GaN grown on a α-Ga2O3 template layer"
• "Epitaxial lateral overgrowth of GaN over AlOx surface formed on Si substrate"
• "Ga2O3 films for electronic and optoelectronic applications"