特許
J-GLOBAL ID：200903055751387720
赤外線センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-183116
公開番号（公開出願番号）：特開平7-043216
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】赤外線センサのダイアフラムの温接点温度を高める。【構成】窒化シリコン膜よりも熱伝導度の低い第1および第2の酸化シリコン膜8,10により上下から挟まれたサーモパイル9と酸化シリコン膜の下面に設けたX字型の梁とを含むダイアフラムを形成することにより、酸化シリコン膜の垂れ下りを防止し、且つダイアフラム中央部の温接点温度を高めることができる。
請求項（抜粋）：
信号処理回路を形成した半導体基板の上に形成した絶縁膜と、前記絶縁膜内に選択的に形成した空洞と、前記空洞上に設けたテーパ状の開口部と、前記開口部の四隅の前記絶縁膜上に端部を設けて前記空洞上に形成した窒化シリコン膜からなるX字型の梁と、前記梁の上に接して積層した第1および第2の酸化シリコン膜の間に挟んで前記開口部の中央から周辺に向けて帯状に配置したサーモパイルを含むダイアフラムとを備えたことを特徴とする赤外線センサ。
IPC (2件)：
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