特許

J-GLOBAL ID：200903055752313045

セラミック多層回路基板及びその製造方法

発明者： 古橋 和雄 ,  井本 晃
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-232120
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085457
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 内部配線に銀系導体、表面配線に銅系導体を用いたセラミック多層回路基板において、銅系導体の表面配線の接着強度が高く、また半田ヌレ性に優れ、生産性に優れたセラミック多層回路基板及びその製造方法を提供する。【構成】内部配線12に銀系導体を用いたガラス-セラミック多層基板1の主面に、銅系導体の表面配線2を形成したセラミック多層回路基板10において、前記内部配線12と前記表面配線2との接続部分に、白金系又はパラジウム系導体からなるビアホール導体14を形成した。また、表面配線2を、多層基板1上に印刷した後、中性もしくは還元性雰囲気中、銀-銅の共晶点以上の温度、例えば900°Cで焼成する。

請求項（抜粋）：

内部配線に銀系導体を用いたガラス-セラミック多層基板の主面に、銅系表面配線を形成したセラミック多層回路基板において、前記内部配線と前記表面配線との接続部分に、白金系又はパラジウム系導体を介在させたことを特徴とするセラミック多層回路基板。