特許

J-GLOBAL ID：200903055757928820

パターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-424563
公開番号（公開出願番号）：特開2005-181814
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】 現像時の溶液によるレジストパターンに対する表面張力を低減して、微細化されたレジストパターンのパターン倒れを防止できるようにする。 【解決手段】基板201上にレジスト膜202を形成し、形成したレジスト膜202に露光光203を選択的に照射してパターン露光を行なう。その後、パターン露光されたレジスト膜202に対して現像液205で現像を行ない、現像されたレジスト膜202をシクロデキストリンを含むリンス液206でリンスすることにより、レジスト膜202から、微細化され且つパターン倒れがないレジストパターン202aを得る。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、 パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なう工程と、 現像が行なわれた前記レジスト膜をシクロデキストリンを含む水溶液でリンスすることにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F7/32 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/32 501 ,  G03F7/32 ,  G03F7/30 ,  H01L21/30 569F

Fターム (11件)：

2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096EA02 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096GA10 ,  2H096GA11 ,  2H096GA17 ,  2H096GA18 ,  5F046LA03 ,  5F046LA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3343219号公報