特許

J-GLOBAL ID：200903055757992528

微細パターンの形成方法

発明者： 森 豪 ,  三枝 理伸 ,  広兼 順司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169644
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367240
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、微細パターンの形成方法に関し、光ビームスポット径よりも小さな幅を持つ混合膜を基板上に形成することにより、微細パターンを形成することを課題とする。【解決手段】 この発明は、基板の表面上に感熱多層膜を形成し、前記感熱多層膜の上方から光ビームを集光照射することにより所定の温度以上に上昇させた前記感熱多層膜の中に混合膜を形成し、前記混合膜以外の感熱多層膜の部分を選択的に除去し、前記混合膜を基板上に残存させるようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板の表面上に感熱多層膜を形成し、前記感熱多層膜の上方から光ビームを集光照射することにより所定の温度以上に上昇させて前記感熱多層膜中に混合膜を形成し、前記混合膜以外の感熱多層膜の部分を選択的に除去し、前記混合膜を基板上に残存させるようにしたことを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (2件)：

G11B 7/26 501 ,  G11B 7/26 511

FI (2件)：

G11B 7/26 501 ,  G11B 7/26 511

Fターム (7件)：

5D121BA05 ,  5D121BB08 ,  5D121BB14 ,  5D121BB33 ,  5D121BB34 ,  5D121CA03 ,  5D121GG04