レーザー処理方法およびレーザー処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237763
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326430
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】工程の単純で歩留り、スループットの高い不純物ドーピング法を提供する。【構成】真空チャンバー31内に設置された試料34に微量添加物あるいは不純物をドーピングする方法であって、真空チャンバー31内の雰囲気を微量添加物あるいは不純物を含有する雰囲気とし、この雰囲気中にて、試料を加熱し、場合によって電極39より電磁エネルギー与えながらレーザー光33を試料に照射することによって、効率良く試料34に対してドーピングを行うことができるレーザー処理方法および処理装置。

請求項（抜粋）：

不純物をドープされるべき半導体、金属、絶縁体のいずれか、もしくはこれらの組み合わせからなる物体をその融点以下に加熱し、不純物を含む反応性気体雰囲気中で、レーザー光を照射することによって、前記物体中に不純物を物理的もしくは化学的に拡散、化合、侵入させることを特徴とする物体のレーザー処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/22 , H01L 21/268

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平1-101625
特開昭54-131866
特開昭56-030721

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審査官引用 (13件)

特開昭57-162339
特開平2-226732
特開平1-259530

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