エッチングガス及びエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金本哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302139
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129612
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングするにあたり、エッチングレート及びアスペクト比が高く、しかも肩落ちのないエッチング特性を得る。【解決手段】下記の構造式で示されるエッチングガスと、アルゴンガスとを1:10〜30の流量比率で処理室内に導入し、プラズマ雰囲気の下で該処理室内の被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングする。【化7】

請求項（抜粋）：

下記の構造式で示されるエッチングガス。【化1】

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 1/12 , C23F 4/00

FI (4件)：

H01L 21/302 F , C23F 1/12 , C23F 4/00 E , H01L 21/302 C

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