特許

J-GLOBAL ID：200903055761032172

5族元素による酸化物/半導体界面の安定化方法と安定化半導体

発明者： 知京 豊裕 ,  吉本 護
出願人/特許権者： 文部科学省金属材料技術研究所長 ,  科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322227
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144087
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体と界面酸化物との間に界面層(反応層)を持たず、機能性酸化物の性能を十分に発揮でき、温度に依存せずに、酸化物/半導体界面の安定化を可能とする酸化物/半導体界面の安定化方法とその安定化半導体を提供する。【解決手段】 半導体(2)表面に単体あるいは2種類以上の5族元素(3)を供給し、かつ、その5族元素上に酸化物(1)を成長させ、酸化物(1)と半導体(2)との界面(4)を安定化させる。

請求項（抜粋）：

半導体表面に単体あるいは2種類以上の5族元素を供給し、かつ、その5族元素上に酸化物を成長させ、酸化物と半導体との界面を安定化させることを特徴とする5族元素による酸化物/半導体界面の安定化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (10件)：

5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BE01 ,  5F058BE10 ,  5F058BJ10 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15