特許

J-GLOBAL ID：200903055762194141

半導体露光装置

発明者： 楠本 博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124125
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス露光工程の同一デバイス同一レシピにおいて、同一回路パターンの異なるレチクルを使用する時に、レチクル個体差によるパターンの重ね合わせずれの補正時間を短縮する。【解決手段】 個々のレチクル毎の製造誤差を記憶、保存できる情報記憶媒体17を具備し、この製造誤差情報をウエハとレチクルのパターンの位置合わせのオフセットとして使用する半導体露光装置、並びにこの装置を利用するデバイス製造方法。

請求項（抜粋）：

個々のレチクル毎の製造誤差を記憶、保存できる情報記憶媒体を具備し、この製造誤差情報をウエハとレチクルのパターンの位置合わせのオフセットとして使用する半導体露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

H01L 21/30 502 G ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 D

Fターム (5件)：

5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046DD03 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06