特許
J-GLOBAL ID：200903055766517115
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192587
公開番号（公開出願番号）：特開平9-031158
出願日： 1988年09月21日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：
【要約】【課題】高温雰囲気中に長期間放置しても優れた信頼性を保持する半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置である。(A)有機酸の含有量が100ppm以下、全塩素量が100ppm以下で全ナトリウム量が20ppm以下のエポキシ樹脂。(B)有機酸の含有量が100ppm以下で全塩素量が10ppm以下のフェノール樹脂。(C)下記の一般式(1)で表されるハイドロタルサイト類化合物。【化1】
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)有機酸の含有量が100ppm以下、全塩素量が100ppm以下で全ナトリウム量が20ppm以下のエポキシ樹脂。(B)有機酸の含有量が100ppm以下で全塩素量が10ppm以下のフェノール樹脂。(C)下記の一般式(1)で表されるハイドロタルサイト類化合物。【化1】
IPC (9件)：
C08G 59/20 NHN
, C08G 59/62 NJS
, C08K 3/26
, C08L 61/04 LNB
, C08L 63/00 NKV
, C09J163/00 JFL
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C09K 21/14
C08G 59/20 NHN
, C08G 59/62 NJS
, C08K 3/26
, C08L 61/04 LNB
, C08L 63/00 NKV
, C09J163/00 JFL
, C09K 21/14
, H01L 23/30 R
