特許

J-GLOBAL ID：200903055766703326

光検知装置およびその製造方法

発明者： 松倉 祐輔
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-131159
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305705
出願日： 2006年05月10日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】広い温度範囲で高感度の光検知を行うことを可能とする。【解決手段】埋め込み層16と、埋め込み層16によって埋め込まれた量子ドット15aと、を有する量子ドット構造15と、動作時に、量子ドット構造15に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造15下流側に、埋め込み層12,14と、禁制帯幅が埋め込み層12,14よりも小さい量子井戸層13aを有する量子井戸構造13が形成されることで、光検知部10aの電子が超えなくてはならない電位障壁の温度依存性が小さくなり、埋め込み層14の高温時の電位障壁が低下する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

量子ドットを有する光検知装置において、 第1の埋め込み層と、前記第1の埋め込み層によって埋め込まれた量子ドットと、を有する量子ドット構造と、 動作時に、前記量子ドット構造に対して垂直方向に流れる電子の前記量子ドット構造下流側に形成され、第2,第3の埋め込み層と、前記第2,第3の埋め込み層に挟まれ、禁制帯幅が前記第2,第3の埋め込み層よりも小さい量子井戸層と、を有する量子井戸構造と、 を有することを特徴とする光検知装置。

IPC (1件)：

H01L 31/026

FI (1件)：

H01L31/08 L

Fターム (5件)：

5F088AA11 ,  5F088AB07 ,  5F088BA01 ,  5F088CB01 ,  5F088DA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 赤外線検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-126019   出願人：富士通株式会社