特許

J-GLOBAL ID：200903055767895008

面発光型半導体レーザ

発明者： 森 克己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034130
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232668
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】面発光型半導体レーザのレーザ発光特性を損なうことなく、外部からレーザ光の偏光面を制御できる構造を備えた面発光型半導体レーザを提供すること。【解決手段】基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、p型クラッド層107の途中まで、半導体の積層体の上面からみて正方形の形状にエッチングされた柱状部分114が形成される。この柱状部分114の周囲を第1絶縁層109と金属層110で埋め込み、さらに金属層110の表面に第2絶縁層111を形成し、その上に独立して電流が注入できる分割された上部電極112が正方形の各辺に沿ってコンタクト層108と接して形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に前記基板と垂直な方向にレーザ光を出射する光共振器が形成された面発光型半導体レーザにおいて、前記光共振器は、一対の反射ミラーと、前記一対の反射ミラーの間に形成され、少なくとも活性層及びクラッド層を含む多層の半導体層と、を有し、前記多層の半導体層の少なくとも前記クラッド層を含む上層側が柱状に形成された柱状部分とされ、前記柱状部分の周囲に絶縁層を介して、金属層が埋め込み形成され、前記柱状部分の端面に望んで開口を有する多数に分割された上部電極がさらに設けられ、前記柱状部分の基板に対して平行方向の横断面形状が正多角形であることを特徴とする面発光型半導体レーザ。