特許

J-GLOBAL ID：200903055771092831

半導体装置

発明者： 桜井 敬二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287136
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142724
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】PN接合ダイオードあるいはショットキーバリアダイオードより低い順方向電圧を有し、低損失で高速の整流素子として使用できる半導体装置を提供する。【構成】PN接合ダイオードあるいはショットキーバリアダイオードと同一半導体基板に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成し、ダイオードと並列接続し、順方向電圧印加時にはそのトランジスタをオンさせて順電流の通路とし、逆方向電圧印加時にはオフして逆特性はダイオードの逆特性とする。

請求項（抜粋）：

第一導電形の半導体層の一面の表面層に選択的に形成される第二導電形のウエルと、そのウエルの表面層に選択的に形成されるソースおよびドレイン領域と、ウエルのソースおよびドレイン領域にはさまれた露出面上に絶縁膜を介して設けられるゲートとを備えてなる絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有し、その電界効果トランジスタが、前記第一導電形の一面とショットキーバリアを形成する第一電極と、その第一導電形層の他面に低抵抗で接続される第二電極との間に並列に接続されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/78 301 E ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 J