特許

J-GLOBAL ID：200903055771733632

基板の製造方法

発明者： 長井 亮
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334351
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141440
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 アディティブ法によってBGAなどに使用される基板を製造する際に、工程が少なく、且つ配線パターンのファイン化を実現できる基板の製造方法を提供する。【解決手段】 基材1aにスルーホール2aを形成し、基材2aの表裏面及びスルーホール2aの内部にレジスト層4aを形成し、レジスト層4aをパターニングするとともに、スルーホール2aに、開口部が広く、中央部が狭くなるような形状のビアホール11aを形成し、レジスト4aの表面及びビアホール11aの内壁に選択的に無電解メッキ層3aを形成する。更に、この無電解メッキ層3aの表面に電解メッキ層5aを形成して所望の配線パターン6aを形成するとともに、このとき同時にビアホール11a内にメッキ金属からなる充填物7aを充填する。、

請求項（抜粋）：

薄板状の基材に表裏面を貫通するスルーホールを形成する工程と、基材の表裏面にレジスト層を形成する工程と、前記スルーホールの内部にレジストを充填する工程と、前記レジスト層をパターニングし、基材の表裏面に所望の配線パターンを形成する工程と、前記スルーホールに充填したレジストに、基材の表裏面を貫通する、開口部が広く、中央部が狭くなるような形状のビアホールを形成する工程と、前記レジスト層の表面及び前記ビアホールの内壁に無電解メッキを施す工程と、形成された無電解メッキ層上に電解メッキを施す工程と、前記ビアホールの内部に導電性の充填物を充填する工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/42 630

FI (3件)：

H01L 23/12 501 Z ,  H05K 3/40 K ,  H05K 3/42 630 A

Fターム (9件)：

5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB11 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CD15 ,  5E317CD27 ,  5E317GG14 ,  5E317GG16