金属配線及びその形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196939
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190548
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は、エレクトロマイグレーション耐性、ストレスマイグレーション耐性に優れた金属配線を得ることを目的とする。【構成】金属配線をチタン層7とモリブデン層9と銅合金層11との積層構造ととし、モリブデン層9の結晶面方位を(110)、銅合金層11の結晶面方位を(111)とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された金属V族及び金属VI族の元素の少なくとも1つを含む結晶面方位が(110)の下層配線と、この下層配線上に形成された銅,銀,金のうち少なくとも1つを主成分とする配線とを有することを特徴とする金属配線。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 29/46

FI (2件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

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