特許

J-GLOBAL ID：200903055783921850

研磨用組成物並びに研磨方法

発明者： 竹田 敏郎
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-094144
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297779
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供することにある。【解決手段】 (A)研磨材、(B)有機酸、(C)過酸化水素、(D)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(E)研磨速度調節剤および(F)水を有する研磨用組成物であり、(A)研磨材が、有機高分子化合物からなる有機粒子とフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナの中から選ばれる少なくとも1種類の無機粒子の混合物である研磨用組成物である。

請求項（抜粋）：

(A)研磨材、(B)有機酸、(C)過酸化水素、(D)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(E)研磨速度調節剤および(F)水を有する研磨用組成物であり、(A)研磨材が、平均粒径100nm-500nmの範囲にある有機高分子化合物からなる有機粒子と平均粒径が20nm-100nmの範囲にあるフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナの中から選ばれる少なくとも1種類の無機粒子の混合物であり、該有機粒子と該無機粒子の重量配合比は80/20〜5/95の範囲であり、研磨用組成物中の濃度が3〜30重量%であり、(B)有機酸の研磨用組成物中の濃度が0.01〜10重量%であり、(C)過酸化水素の研磨用組成物中の濃度が0.03〜10重量%であり、(D)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体の研磨用組成物中の濃度が0.01〜10重量%であり、(E)研磨速度調節剤が無機酸または有機酸と塩基性化合物との塩であり、研磨用組成物中の濃度が0.001〜1重量%であることを特徴とする研磨用組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (8件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 B ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (8件)：

3C047FF08 ,  3C047GG20 ,  3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058CB01 ,  3C058CB07 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17