特許

J-GLOBAL ID：200903055785998280

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法

発明者： 岩佐 成人 ,  長浜 慎一 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172042
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343742
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカットするに際し、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化ガリウム系化合物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形、サイズに切断する方法を提供する。【構成】 サファイア基板を研磨して薄くする工程と、p型層の一部をn型層までエッチングする工程と、n型層をサファイア基板までエッチング、またはダイシングする工程と、サファイア基板をダイシング、またはスクライビングにより切断する工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上にn型およびp型の窒化ガリウム系化合物半導体が順に積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であって、サファイア基板を研磨して薄くする工程と、p型層の一部をn型層までエッチングする工程と、n型層をサファイア基板までエッチング、またはダイシングする工程と、サファイア基板をダイシング、またはスクライビングにより切断する工程と、を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/78