特許
J-GLOBAL ID：200903055787250070
MFMIS型強誘電体記憶素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364034
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177038
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極と強誘電体容量の間にビット線を設ける必要がなく、強誘電体の分極反転に必要な十分な電圧が分配される、微細加工に適したMFMIS型の不揮発性強誘電体記憶素子とその製造法を提供すること。【解決手段】 電界効果型トランジスタのソース部6、ドレイン部7間のチャネルが形成される部分を強誘電体の残留分極を用いて制御する記憶素子において、シリコン基板1に接したシリコン酸化物膜4より比誘電率の大きい常誘電体薄膜としてのセリウム酸化物膜3と、導電体薄膜としての第1,第2の白金薄膜10,12によって挟まれた強誘電体薄膜としてのPLZT膜11とからなる強誘電体容量が接続した構造を形成し、Al電極15を形成する。
請求項（抜粋）：
電界効果型トランジスタのソース、ドレイン間のチャネルが形成される部分を強誘電体の残留分極を用いて制御する強誘電体記憶素子において、シリコン基板に接したシリコン酸化物より比誘電率の大きい常誘電体薄膜と、導電体薄膜によって挟まれた強誘電体薄膜からなる強誘電体容量とが接続した構造を持つことを特徴とする強誘電体記憶素子。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, G11C 17/04
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, G11C 17/04
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
