特許

J-GLOBAL ID：200903055791228217

誘電体膜の形成方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-031960
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227888
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、誘電体膜の形成方法に関し、埋め込み能力の向上を図るとともに、酸化ケイ素の誘電率(=3.8)よりも低い誘電体膜の実現を図る。【構成】 化学的気相成長法によって、有機成分を含む酸化ケイ素膜(低誘電体膜15)を成膜する誘電体膜の形成方法において、この化学的気相成長法で用いる原料気体は、少なくとも、モノシランまたはポリシランのシラン系気体と、Cn H2n+2〔nは正の整数を表す〕で表される炭化水素と、酸素原子を含む気体からなる酸化剤とで構成される。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長法によって、有機成分を含む酸化ケイ素膜を成膜する誘電体膜の形成方法において、化学的気相成長に用いる原料気体は、少なくとも、モノシランまたはポリシランのシラン系気体と、Cn H2n+2〔nは正の整数を表す〕で表される炭化水素と、酸素原子を含む気体からなる酸化剤とで構成されることを特徴とする誘電体膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 K