特許
J-GLOBAL ID：200903055795912023
機能素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小松 秀岳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265551
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251685
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロエピタキシャル成長で形成する高品質化し、機能デバイスの特性向上を目的としている。【構成】 基体と、基体を構成する原子と結合した硫黄原子または硫黄原子を含有する化合物よりなる少なくとも単原子層と、その基体上に形成した少なくても一種以上の薄膜より構成される機能素子。
請求項（抜粋）：
基体と、基体を構成する原子と結合した硫黄原子もしくは硫黄原子を含有する化合物よりなる少なくとも単原子層と、その基体上に形成した少なくとも一種類以上の薄膜より構成されることを特徴とする機能素子。
IPC (2件)：
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