特許

J-GLOBAL ID：200903055802753335

電界放出型真空管及びその製造方法

発明者： 浦山 雅夫 ,  伊勢 智一 ,  丸尾 祐二 ,  赤木 裕
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094761
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 再現性や動作特性を向上することができ、また、製造工程や装置を簡略化、小型化して量産性を向上することができる電界放出型真空管及びその製造方法を提供する。【構成】 n型シリコン基板を用いた基板電極10上には、電子放出源であるモリブデン金属製の円錐状の複数の冷陰極11が形成されている。冷陰極11の周囲の基板電極10上にはシリコン酸化膜の絶縁層12が積層されている。そして、これらの冷陰極11、絶縁層12を覆って陽極層13が設けられている。陽極層13は絶縁層12の基板電極10と反対側の面上に積層され、冷陰極11と対向する部分に円錐状の窪み14が形成されおり、この窪み14即ち陽極層13と冷陰極11との間隙は真空状態となっている。陽極層13の材料は冷陰極11と同一のものが使用される。

請求項（抜粋）：

基板電極と、該基板電極に電気的に接続されており、該基板電極の上に形成された複数の電子放出源と、該電子放出源が形成された側の前記基板電極の表面に対向して設けられかつ前記電子放出源を真空封止する陽極層とを備えており、該陽極層の材料が前記電子放出源の材料と同一であることを特徴とする電界放出型真空管。

IPC (3件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-194829
  
• 特開平3-194829
  
• 特開平4-292832
  
• 特開平3-261040