特許

J-GLOBAL ID：200903055803322230

半導体装置及びその製造方法

発明者： 江渕 康男 ,  柴田 浩延 ,  菅原 保晴 ,  井口 知之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359621
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164506
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 高耐圧を維持しながら容量の大きいキャパシタを備えたバイポーラ集積回路を有する微細化に適した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 タンタル酸化膜のような高比誘電率の誘電体膜4にこれとAlを含む下部電極3との間にアルミニウム酸化膜5を介在させる。また、高比誘電率の誘電体膜として酸素を透過させる材料を用い、前記下部電極上に前記誘電体膜を堆積形成させてから加熱処理を行なって前記誘電体膜を透過する酸素により前記下部電極表面を酸化させる。Alの下部電極上に誘電体膜として酸素を透過させるアモルファスタンタルオキサイド膜を形成する。アモルファスタンタルオキサイド膜は、反応性スパッタリング法、CVD法などの既存の方法により形成する。次に酸素など酸化性の雰囲気中で熱処理を行う。この熱処理によりTa2 O5 /Al界面に高耐圧Al2 O3 膜が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体素子が作り込まれた半導体基板に形成された絶縁膜上に形成されたアルミニウムを主成分とする下部電極と、前記下部電極上に形成された金属酸化膜と、前記金属酸化膜上に形成された上部電極と、前記下部電極と前記金属酸化膜との界面に形成された熱酸化によるアルミニウム酸化膜とを備え、前記上部電極、前記下部電極及び前記金属酸化膜と前記アルミニウム酸化膜とからなる誘電体膜から高耐圧キャパシタを構成することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Fターム (6件)：

5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20