特許

J-GLOBAL ID：200903055804561123

MOSIC及びその製造方法

発明者： 滝沢 正明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022751
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218406
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極側壁にpoly-Siを残しても動作可能でしかも集積度を向上させたMOSIC及びその製造方法を提供する。【構成】シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して配設されたリング状ゲート電極13aと、上記リング状ゲート電極13aの内側および外側にセルフアラインコンタクトに形成された電極を有する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して配設されたリング状ゲート電極と、前記リング状ゲート電極の内側及び外側にセルフアラインコンタクトに形成された電極を有することを特徴とするMOSIC。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭53-137680
  
• 特開昭62-081054
  
• 特開昭60-102772
  
• 特開昭62-022481