特許
J-GLOBAL ID：200903055808004695
フォトマスクの製造方法およびフォトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088271
公開番号（公開出願番号）：特開平6-301194
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 フォトマスク上の異物の残存率を大幅に低減する。【構成】 マスク基板1aの主面に溝1bを形成した後、そのマスク基板1aの主面上に遮光用導体膜をその上面が略平坦となるような状態で堆積する。続いて、その遮光用導体膜を、異方性のドライエッチング法によってエッチバックすることにより、溝1b内のみに遮光膜パターン1cを形成する。
請求項（抜粋）：
マスク基板の主面に溝を形成する工程と、前記マスク基板の主面上に遮光用導体膜をその上面が略平坦となるような状態で堆積する工程と、前記遮光用導体膜を、前記溝内に遮光用導体膜が残るように除去する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
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