特許

J-GLOBAL ID：200903055809399065

磁歪素子

発明者： 宇山 浩子 ,  長谷川 直也 ,  牧野 彰宏
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171556
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008378
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 希土類-鉄系の磁歪材料のうち、希土類(正の磁歪を示す元素と負磁歪を示す元素)の組成比を変え、磁歪値に傾斜をつけることにより、例えば磁歪アクチュエータの効率を向上させる。【構成】 希土類-鉄系の磁歪材料で構成された、正磁歪を示す希土類元素と負磁歪を示す希土類元素を組み合わせとする素子であって、特に膜面内または膜厚方向において、磁歪に傾斜をつけた磁歪素子と膜方向で磁歪に傾斜をつけた磁歪素子とする。

請求項（抜粋）：

基板上に磁歪値の絶対値が最大で10-5〜10-3である磁性合金からなる磁性薄膜を成膜した磁歪素子であって、前記磁性薄膜は正の磁歪値を示す領域と、負の磁歪値を示す領域が存在していることを特徴とする磁歪素子。

IPC (3件)：

H01L 41/12 ,  C22C 38/00 303 ,  H01L 41/20

FI (3件)：

H01L 41/12 ,  C22C 38/00 303 D ,  H01L 41/20