特許
J-GLOBAL ID：200903055811790790
電子放出素子の製造方法、並びに電子放出素子を備えた電子源および画像形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170761
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330658
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 均一な電子放出特性を実現する電子放出素子の製造方法、さらに該方法で作成された電子放出素子を用いた電子源および画像形成装置を提供する。【解決手段】 石英基板上に有機系化合物を主成分とする第一の薄膜Aを作製する工程と、石英基板上の薄膜A上に有機金属化合物を主成分として含有する第二の薄膜Bを作製する工程と、薄膜AおよびBを作製した石英基板と素子電極の形成された基体とを対向させて設置した後、石英基板の裏側からの紫外線照射により薄膜Aを分解して薄膜Bを前記基体上に転写する工程と、前記基体上に転写した薄膜Bの熱分解により導電性薄膜を得る工程とを含む電子放出素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された対向する一対の素子電極間に、電子放出部を有する導電性薄膜を形成する電子放出素子の製造方法において、石英基板上に有機化合物を主成分とする第一の薄膜Aを作製する第一の工程と、石英基板上の該薄膜A上に有機金属化合物を主成分として含有する第二の薄膜Bを作製する第二の工程と、前記薄膜AおよびBを作製した石英基板と前記基体とを対向させて設置した後、石英基板の裏側からの紫外線照射により前記薄膜Aを分解して前記薄膜Bを前記基体上に転写する第三の工程と、前記基体上に転写した薄膜Bの熱分解により前記導電性薄膜を得る第四の工程とを含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
