特許

J-GLOBAL ID：200903055814687443

半導体記憶装置

発明者： 山内 忠昭 ,  岡本 武郎 ,  松本 淳子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330753
公開番号（公開出願番号）：特開2003-132676
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 室温条件下におけるセルフリフレッシュモード時の消費電流を低減する。【解決手段】 リフレッシュ要求(PHY)を発行するリフレッシュタイマ(912)の動作電流を決定する電流源(3)に、正の温度依存性を有するバイアス電圧BISTを与え、この電流源(3)の駆動電流を正の温度特性を持たせる。これにより、温度上昇時、リフレッシュタイマのリフレッシュ周期が発行間隔を短くし、また温度低下時においてリフレッシュ要求の発行間隔を長くし、室温時におけるリフレッシュの消費電流を低減する。

請求項（抜粋）：

記憶データのリフレッシュが必要な半導体記憶装置であって、温度依存性を有する基準電圧を発生する基準電圧発生回路、および前記基準電圧発生回路の発生する基準電圧により動作速度が規定され、活性化時発振動作を行なって所定の発振回数毎に前記リフレッシュを要求するリフレッシュ要求を発行するためのリフレッシュ要求発生回路を備える、半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/406 ,  G05F 3/24 ,  G11C 11/407

FI (3件)：

G05F 3/24 B ,  G11C 11/34 363 L ,  G11C 11/34 354 F

Fターム (21件)：

5H420NA17 ,  5H420NB02 ,  5H420NB22 ,  5H420NB25 ,  5H420NC02 ,  5H420NE23 ,  5M024AA20 ,  5M024AA40 ,  5M024AA70 ,  5M024BB22 ,  5M024BB29 ,  5M024BB39 ,  5M024EE10 ,  5M024EE26 ,  5M024FF07 ,  5M024GG05 ,  5M024HH09 ,  5M024HH10 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP08