特許
J-GLOBAL ID：200903055818452122
半導体装置の設計支援装置および設計支援方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
葛野 信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147624
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330344
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 ホットキャリアハザードに対する信頼性を考慮し、しかも高速で検証できるようにした半導体装置の信頼性検証装置ならびに信頼性検証方法を得る。【解決手段】 半導体装置において、設計セル情報と論理回路情報とレイアウト情報とにもとづき、選択されたセルの出力負荷を算出し、この算出された出力負荷と各セルの信頼性情報とにもとづき各セルのホットキャリアによるトランジスタ寿命を算出して基準値と比較し、各セルの信頼性を検証するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体装置に関する設計セル情報ライブラリ、論理回路情報ライブラリ、レイアウト情報ライブラリおよび各セルの信頼性情報ライブラリと、こららの各ライブラリからの情報に基づき所定の演算を行う演算手段とを備え、この演算手段は、前記の設計セル情報ライブラリと論理回路情報ライブラリとレイアウト情報ライブラリからの情報に基づき、選択されたセルの出力負荷を算出するとともに、この算出された出力負荷と前記信頼性情報ライブラリからの情報とにもとづき各セルのホットキャリアによるトランジスタ寿命を算出して基準値と比較し、各セルの信頼性を検証するようにしたことを特徴とする半導体装置の設計支援装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G06F 15/60 666 S
, G01R 31/28 F
, G06F 15/60 656 Z
