特許

J-GLOBAL ID：200903055828902878

位相シフトリソグラフマスクの修復方法

発明者： クリストファ ピエラ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-274887
公開番号（公開出願番号）：特開平7-281419
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 位相シフトリソグラフマスクにおいて、エッチング停止層を使用する必要のない凹み欠陥領域の修復方法を提供する。【構成】 プラトー12およびトレンチ14を有する位相シフトマスク9は、プラトーまたはトレンチ面上に凹み領域21の形の欠陥を有する。マスクの主要面上に平坦化層22をスピンコートすることにより欠陥を有するマスクを修復する。この平坦化層はマスク基板材料10(例えば、石英)のエッチング速度と同じ速度で異方性エッチングするエッチング条件により特徴付けられる。次いで、欠陥に重なる開口を有するクロムのようなパターン付保護マスク層23を用いて、欠陥に重なる平坦化層の部分uをこの条件下でドライエッチングする。この開口は欠陥と正確に位置合わせされなくてもよい。プラトーまたはトレンチ表面のレベルから深さH(2nπラジアンの位相シフトに相当する)に達するまでエッチングを続ける。

請求項（抜粋）：

基板(10)の上にトレンチ領域(12)およびプラトー領域(11)を有し、前記各領域はトレンチまたはプラトー領域の何れかに存在する過剰材料に起因するあるいは凹み箇所に起因する欠陥領域(21)を除いて概ね平坦な上面を有する位相シフトリソグラフマスク(9)の修復方法において、(a) 少なくとも1つの欠陥領域に重なる概ね平坦な表面を有する第1の層(22)を形成する工程と、前記第1の層は、欠陥領域の少なくとも横方向範囲に重なる部分を有し、この部分は過剰材料または基板のいずれかのエッチング速度と大体同じ速度でエッチングされ、(b) 第1の層の部分を欠陥領域の上面に達するまでエッチングする、あるいは、第1の層の部分の厚さ全体及び第1層の前記部分の下の基板の所定厚さから欠陥領域の上面の下の所定厚さまでの両方まで、エッチングする工程と、からなることを特徴とする位相シフトリソグラフマスクの修復方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-196041
  
• 特開平3-196041
  
• 特開平3-105244