特許

J-GLOBAL ID：200903055831164829

半導体装置

発明者： 清水 浩三 ,  赤松 俊也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189553
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041303
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、ベアチップをフリップチップ接合して構成される半導体パッケージおよびBGA、QFP等とプリント基板を接合してなるMCMに関する。【解決手段】 半導体のチップ1或いはパッケージ上に形成されたはんだバンプ2の下地電極膜が、チタン、ニッケル、クロム、ニッケル、金の順に積層された膜からなる半導体装置で、下地電極膜のニッケル膜が1μmを超える厚さで、クロム膜の厚さが200〜2000Åである。

請求項（抜粋）：

半導体のチップ或いはパッケージ上に形成されたはんだバンプの下地電極膜が、チタン、ニッケル、クロム、ニッケル、金の順に積層された膜からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/92 604 N