特許

J-GLOBAL ID：200903055841035580

トランジスタ

発明者： リチャード エイ.チャップマン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310285
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243568
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 デバイス作製工程において、良好な品質のゲート酸化物と浅いドーパント分布とを得る。【構成】 半導体層112中に浅いドープ領域125を形成するための方法が開示されている。半導体層113を覆って絶縁層126(例えば、二酸化シリコン)が形成される。次に、絶縁層126を覆って、薄い(例えば、<20nm)アモルファス半導体層127が形成される。次に、薄いアモルファス半導体層127と絶縁層126とを通して半導体層112中へイオンが打ち込まれ、浅いドープ領域125が形成される。浅いドープ領域125は半導体層中へ20ないし50nmの深さの位置に濃度分布のピークを持つ。好適実施例では、浅いドープ領域125はCMOS応用等のための埋め込みチャネルトランジスタ119中に形成される。その他のシステムおよび方法についても開示されている。

請求項（抜粋）：

半導体層中に作製されたトランジスタデバイスであって:第1の伝導形のソースおよびドレインであって、第2の伝導形を含むチャネルによって分離されており、前記チャネル領域が前記第1の伝導形の浅いドープ領域を含んでいるソースおよびドレイン領域、前記チャネル領域を覆う絶縁層、前記チャネル領域を覆う、少なくとも部分的に再結晶化された薄い半導体層、前記再結晶層を覆う多結晶半導体層、を含むトランジスタデバイス。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-243418
  
• 特開昭63-260052
  
• 特開平3-218639
  
• 特開平1-289166
  
• 特開昭64-073676