特許

J-GLOBAL ID：200903055843117133

プラズマエッチング方法

発明者： 石川 吉夫 ,  飯島 幸夫 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-279070
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129595
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 SiO2 膜のみのエッチングと、SiO2 膜及びSi3 N4 膜の2層のエッチングとを連続して行うことのできるエッチング方法を提供すること。【解決手段】 本発明のエッチング方法は、Si基板10と、その上に形成されたSiO2 膜12、Si3 N4 膜16及びSiO2 膜18とを有する基体Sをプラズマエッチングする方法であって、C4 F4 ガス、CHF3 ガス、Arガスから成る第1の反応性ガスを用いて、SiO2 膜18のみをエッチングする第1の工程と、前記第1の反応性ガスに水素ガスを添加して成る第2の反応性ガスを用いて、Si3 N4 膜16及びSiO2 膜12をエッチングする第2の工程とを備える。第1の反応性ガスに水素ガスを添加するだけで、SiO2 膜のみならずSi3 N4 膜をエッチングできるので、2つのエッチング工程を連続して行うことが可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された酸化シリコンを主成分とする第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成されたシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の積層膜又はシリコン窒化膜から成るストッパ層と、前記ストッパ膜上に形成された酸化シリコンを主成分とする第2の絶縁層とを有する被処理基体を異方性プラズマエッチングする方法であって、フロロカーボンガス及び不活性ガスを含む第1の反応性ガスを用いて、前記第2の絶縁層を前記ストッパ層に対して選択的にエッチングする第1の工程と、フロロカーボンガス、不活性ガス及び水素ガスを含む第2の反応性ガスを用いて、前記第1の工程により露出された前記ストッパ層及び前記第1の絶縁層を前記シリコン基板に対して選択的にエッチングする第2の工程と、を備えるプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 E