Al-Tl系金属配線およびこれを用いた半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128627
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312292
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】低抵抗かつエレクトロマイグレーション耐性に優れたAl系金属配線、およびこれを用いた高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】主導電材料層として、Al-Tl(タリウム)系金属層5を採用する。【効果】 Al-Tl2元系金属は合金化反応を起こさない。したがって、シンタリングにより純Alの結晶が大粒径し、この大粒径Alの結晶粒界にTlが選択的に析出した構造が得られる。したがって、低抵抗とエレクトロマイグレーション耐性を両立したAl系金属配線およびこれを用いた半導体装置を製造することが可能である。

請求項（抜粋）：

主導電材料層として、Al-Tl系金属を用いたことを特徴とするAl-Tl系金属配線。

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