特許
J-GLOBAL ID：200903055847307891
PTCサーミスタ薄膜素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-032456
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233305
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗で優れたPTC特性を示すPTCサーミスタ薄膜素子を提供する。【解決手段】 n型半導体基板の表面上にチタン酸バリウム系PTCサーミスタ薄膜、さらに上部電極を形成し、加えて前記基板の裏面に下部電極を形成した構成とする。
請求項（抜粋）：
下部電極と、n型半導体基板と、ペロブスカイト型結晶構造のチタン酸バリウムを含有する薄膜層と、上部電極との積層構造であることを特徴とするPTCサーミスタ薄膜素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
