特許

J-GLOBAL ID：200903055858284460

シリカ系中空粒子の製造方法およびシリカ系中空粒子分散体の製造方法

発明者： 小林 薫平 ,  江利山 祐一
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (2件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-090636
公開番号（公開出願番号）：特開2008-247664
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】粒子径が小さく、かつ、外殻(シェル)層の厚みが小さいシリカ系中空粒子の製造方法および上記シリカ系中空粒子分散体の製造方法を提供する。【解決手段】シリカ系中空粒子の製造方法は、カチオン性基を有する重合体粒子にシリカ系被覆層を形成して複合粒子を得る工程、および前記複合粒子を加熱することによりカチオン性重合体粒子を分解する工程を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

カチオン性基を有する重合体粒子にシリカ系被覆層を形成して複合粒子を得る工程、および 前記複合粒子を加熱することによりカチオン性重合体粒子を分解する工程 を含む、シリカ系中空粒子の製造方法。

IPC (1件)：

C01B 33/18

FI (1件)：

C01B33/18 Z

Fターム (18件)：

4G072AA25 ,  4G072BB16 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072EE01 ,  4G072EE06 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ42 ,  4G072LL06 ,  4G072LL11 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR05 ,  4G072RR07 ,  4G072UU30

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-210228号
  
• 特開平4-302592号