特許

J-GLOBAL ID：200903055859716932

エッチング方法及びエッチング装置

発明者： 田子 一農 ,  数見 秀之 ,  徳永 尚文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031802
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】SiO2エッチレートを低下させることなく選択比を向上することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供することにある。【構成】エッチングガス21にはCnFm(m>n≧2又はn=4,m=1)で表されるガスとC6F6ガスとが含まれる。プラズマ生成室3aにはマイクロ波が導入されるとともに磁場が加えられ、エッチングガス21は電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ化されて解離しプラズマ4と中性解離種とが生成する。中性解離種はフルオロ膜としてSiO2酸化膜上に付着し、イオン性解離種が衝突することによってSiO2膜表面が所定形状にエッチングされる。ここでCnFm(m>n≧2又はn=4,m=1)はSiO2エッチング性が大きく、C6F6はSi保護性・レジスト保護性・Si3N4保護性・SiO2付着性が大きいので、選択比((SiO2エッチレート)/(Siエッチレート)or(レジストエッチレート)or(Si3N4エッチレート))を向上することができる。

請求項（抜粋）：

エッチングガスに変動する電磁界を加えてプラズマを発生させ、Si基板に形成されたSiO2膜表面を所定の形状にプラズマエッチングするエッチング方法において、前記エッチングガスは、Si保護性・レジスト保護性・Si3N4保護性のいずれもが大きくSiO2付着性が小さくない性質を有する第1のガスと、SiO2エッチング性の大きい性質を有する第2のガスとを含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00