特許
J-GLOBAL ID：200903055860609147
超自己整列バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232967
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181089
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】素子の大きさを最小化し、工程を単純化しながら素子の特性を向上させることができる超自己整列異種接合バイポーラトランジスタ製造方法を提供する。【解決手段】素子隔離のためのトレンチを排除し、選択的なエピタキシャル成長によりコレクタ層7およびエミッタ層17を形成する。さらに、選択的エピタキシャル成長させたコレクタ層7およびエミッタ層17の側壁と、これらの周囲の膜の側壁との間に酸化膜のスペーサを配置することにより、活性領域を明確に定義する。さらに、金属性シリサイドベース電極膜14を用いることにより、ベースの寄生抵抗を最小化する。
請求項（抜粋）：
埋没コレクタが形成された半導体基板上に、第1酸化膜と、ベース用導電性薄膜と、第2酸化膜とを順に形成する1段階と、前記第2酸化膜と導電性薄膜とをパターニングした後、露出された第2酸化膜および導電性薄膜の側壁に予備スペーサを形成する2段階と、前記工程を通じて露出された第1酸化膜を除去することにより活性領域を定義し、定義された活性領域上にコレクタ層を選択的に成長させる3段階と、前記コレクタ層を酸化させて熱酸化膜を形成した後、前記予備スペーサを除去する4段階と、結果物の全面にポリシリコン膜を形成した後、熱酸化工程を行い、第2酸化膜の上部には硅素酸化膜を、前記予備スペーサが除去された部位にはポリシリコンスペーサを形成する5段階と、前記ベース用導電性薄膜とポリシリコンスペーサとコレクタ層とを露出させた後、SiGe層/Si層を形成する6段階と、前記SiGe層/Si層の上部にベース電極を形成する7段階と、ベース電極を定義するマスクを用いて、前記第1酸化膜の一部を露出させた後、結果物の全面に第3酸化膜を形成する8段階と、エミッタを定義するマスクを用いて、エッチングにより前記SiGe層/Si層の表面を露出させた後、エッチング部の側壁に酸化膜スペーサを形成した後、定義されたエミッタ領域にエミッタ層とエミッタ電極とを自己整列させる9段階と金属配線を形成する10段階とを有することを特徴とする超自己整列バイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
